1、名稱:半導體激光**儀
2、激光媒介:
GaAlAs-半導體
3、輸出波長:主波長808nm士10nm 輔助波長650nm士10nm
4、輸出模式:連續(xù)或 間歇
5、工作方式:
*6、激光器功率:
雙路輸出,獨立控制,非接觸式,體表垂直照射
①整機輸出功率:單個面照**頭為:500mwx3(808激光)+5mwx80(650激光)=1900mw,輸出總功率為:3800m
②**大功率:單個面照射**頭:1000mwx3+10mwx80
③單個激光器**大輸出功率500mw,調(diào)節(jié)范圍20-500mw,步進1mw,顯